A8b 200mW Red Laser Module (650nm)

ESPEFICIFICACIONES TÉCNICAS

Características

Detalles

Unidades

VOLTAJE DE ENTRADA DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN

12

V DC

INTENSIDAD DE FUNCIONAMIENTO

<380

mA

LONGITUD DE ONDA

650

nm

POTENCIA ÓPTICA

<200

mW

CLASE

IIIB

Semiconductor del diodo láser

AlGaInP Quantum Wells

MODULACIÓN TTL

0-20

kHz

DIAMETRO DEL HAZ

0,75 +/-0,05

mm

DIVERGENCIA

>0,5

mRad

TIEMPO DE PRECALENTAMIENTO

<1,0

s

TEMPERATURA DE OPERACIÓN

-10 ~ +55

°C

TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO

-40 ~ +85

°C

POLARIDAD

+ Rojo / - Negro

Enfoque

Mediante giro del ocular

Lente

Vidrio