T2 Diodo láser infrarrojo 1000mW (808nm)

ESPEFICIFICACIONES TÉCNICAS

Características

Detalles

Unidades

Potencia óptica

1000

mW

Clase (según la norma IEC 60825-1)

IV

Longitud de onda de emisión (λ)

808  (Infrarrojo)

Anchura Espectral

≤ 2,5

nm

Modo de funcionamiento

CW (continuo)

Fabricante

Newwish Optoelectronics Co., Ltd.

Modelo

SN808T1000

Voltaje de funcionamiento:

≤ 2,2

VDC

Intensidad de funcionamiento:

<1400

mA

Resistencia en serie:

≤ 0,6

Ω

Alcance aproximado en la oscuridad

2-3

km

Tipo de diodo láser de bombeo

AlGaAs IR 808nm

Cavidad láser

Recubrimiento multicapa

Divergencia

>0,5

mrad

Modo transversal electromagnético

≈ TEM₀₀

Tiempo de precalentamiento

<2,0

s

Temperatura de operación

-10 ~ +55

°C

Temperatura de almacenamiento

-40 ~ +85

°C

Vida útil de funcionamiento:

>5000

h

Homologación

CE (Directiva 93/68/EEC)