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Diodo láser infrarrojo 808nm de 1000mW de potencia.
Empaquetado en montura tipo: C-mount
Especialmente indicado para aplicaciones como:
Balizas e iluminación
Equipos de comunicación
Fuente de luz de infrarroja
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ESPEFICIFICACIONES TÉCNICAS
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CaracterÃsticas
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Detalles
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Unidades
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Potencia
óptica
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1000
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mW
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Clase
(según la norma IEC 60825-1)
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IV
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Longitud
de onda de emisión (λ)
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808 Â (Infrarrojo)
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Anchura
Espectral
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≤ 2,5
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nm
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Modo de
funcionamiento
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CW
(continuo)
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Fabricante
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Newwish
Optoelectronics Co., Ltd.
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Modelo
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SN808T1000
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Voltaje
de funcionamiento:
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≤ 2,2
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VDC
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Intensidad
de funcionamiento:
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<1400
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mA
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Resistencia en serie:
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≤ 0,6
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Ω
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Alcance
aproximado en la oscuridad
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2-3
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km
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Tipo
de diodo láser de bombeo
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AlGaAs
IR 808nm
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Cavidad
láser
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Recubrimiento
multicapa
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Divergencia
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>0,5
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mrad
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Modo
transversal electromagnético
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≈ TEM00
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Tiempo
de precalentamiento
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<2,0
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s
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Temperatura
de operación
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-10 ~ +55
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°C
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Temperatura
de almacenamiento
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-40 ~ +85
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°C
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Vida
útil de funcionamiento:
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>5000
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h
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Homologación
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CE (Directiva 93/68/EEC)
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Bajo pedido, tiempo de entrega aproximada: 15-20 dÃas
  
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