ESPEFICIFICACIONES TÉCNICAS

Características

Detalles

Unidades

VOLTAJE DE ENTRADA DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN

3

V DC

INTENSIDAD DE FUNCIONAMIENTO

<40

mA

LONGITUD DE ONDA

650

nm

POTENCIA ÓPTICA

<1

mW

CLASE

II

Semiconductor del diodo láser

AlGaInP Quantum Wells

MODULACIÓN TTL

NO

kHz

DIAMETRO DEL HAZ

0,75 +/-0,05

mm

DIVERGENCIA

>0,5

mRad

TIEMPO DE PRECALENTAMIENTO

<1,0

s

TEMPERATURA DE OPERACIÓN

-10 ~ +55

°C

TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO

-40 ~ +85

°C

POLARIDAD

+ Rojo / - Negro

Dimensiones

8 (Diámetro) x 13(longitud)

mm

Longitud de cable

140

mm

Enfoque

Mediante giro del ocular

Lente

Acrílica